进入到2023年，业界持续关注以SiC(碳化硅)和GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体发展。不过，这两类半导体应用的表现，仍然面临着许多挑战。
具体来看，虽然SiC已经在汽车上批量应用，但是受限于由于良率和性价比问题，对大部分汽车而言，SiC器件的成本依旧过高；GaN的商用集中在消费电子的快充领域，近几年也拓展到了数据中心领域，只是其上车进程却迟迟未见明显收效。
截至目前，SiC和GaN的商业进程最新进展如何？在日前的“2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会”上，来自第三代半导体产业链上下游的从业者，解读了SiC和GaN当前的最新现状及前沿趋势。
8英寸SiC正进入市场，目前市占率低于2%
根据TrendForce预测，SiC功率元件的市场规模将从2022年的16.09亿美元，增长到2026年的53.28亿美金，期间的年复合增长率高达35%。
集邦咨询化合物半导体分析师龚瑞骄指出，SiC衬底在过去几年中，一直处于供不应求的状态，预测全球等效6英寸SiC的导电型碳化硅衬底材料生产，将会从2022年的107万片成长到2026年的569万片。
具体来看，6英寸仍是目前市场的主流供应，市场份额约占到80%，到2025年该数字将提升到90%。另外，8英寸碳化硅晶圆也正在进入市场，其市占率当前仍低于2%，预计到2026年，其份额将会达到15%。
如今，全球有超过15家厂商展示了8英寸碳化硅衬底样品，其中以Wolfspeed和Vitesco为代表，其他参与8英寸晶圆设施的厂商，还包括ST、英飞凌、博世、onsemi、罗姆、三菱等国际厂商，以及天科合达、天岳先进、烁科晶体、同光半导体等国内厂商。
Wolfspeed在美国有一座8英寸晶圆厂，该公司还与Tier1采埃孚计划在德国建立一座8英寸晶圆厂。
ST去年宣布计划投资7.3亿欧元在意大利建设8英寸的碳化硅设施；ST还于2023年6月宣布，与三安光电在重庆将设立一座8英寸碳化硅晶圆制造厂，三安光电将建造一个额外的8英寸碳化硅衬底设施来作为配套。
英飞凌在去年投资20亿欧元，以扩展其马来西亚居林工厂的宽禁带半导体产能。
博世在今年收购了芯片生产商TSI半导体公司，后者在美国加州拥有一座8英寸的专用芯片晶圆厂，博世计划未来会投资14亿欧元，把这座晶圆厂改建成碳化硅产线。
