2004年，经过4000多次的试错，江风益团队在国际上率先攻克了硅衬底上生长氮化镓基LED材料的难题。“这将是一条崭新的赛道，由我们主导的赛道！”当时一直在配合江风益工作的王敏，敏锐地察觉到这项技术可能给行业带来的变革。

此后，王敏与江风益联合创立晶能光电（江西）有限公司，推动硅衬底LED蓝光技术产业化。在南昌大学400多平方米的实验室里，一个“实验室+企业”的新形态正式运转起来。“那个时候，实验室几乎是全天候运转，被大家称为‘不熄灯的工作室’。”王敏说，“实验室的产品数据显示，新产品光效高且抗大电流能力强，这给了我们很大的信心。”

2012年，晶能硅衬底大功率LED芯片量产，被国际半导体照明联盟（ISA）评为“全球半导体照明2012年度新闻事件”。2004年技术实现突破，2006年晶能光电成立并开始推进产业化，为什么2012年才实现量产？

如果说，江风益团队攻克硅衬底蓝光LED技术实现了“从0到1”的突破，那么晶能光电的成立则是立志于“从1到10”的跨越，意味着成果要从实验室走出来，迎接大规模的量产。这个过程中出现的困难是当初每个人都没有想到的。

2006年，拿到风投资金的王敏信心满满，决心干出一番事业。厂房拔地而起，设备迎接调试，一张张崭新的面孔被吸纳进公司。2007年10月27日，晶能光电正式入驻南昌国家高新技术产业开发区。

2008年5月，第一批产品正式下线。大家满怀期待，可良品率却起伏不定，离量产期望差距不小。经过团队夜以继日地分析、调整，良品率逐步稳定并不断提升。

江风益坦言，硅衬底LED芯片技术容错率不高，哪怕是一点点温度的变化都会对产品有影响。实验室设计的产品“走进”厂房，难免会出现一些纰漏和瑕疵，而每个微小的纰漏和瑕疵，最终就会叠加成一个严重问题。

解决问题的关键，仍然是技术攻关。企业一面不断招收技术人员，一面推动研发骨干走进生产线，成为一线工程师，带着工人们一同攻关。在这样的背景下，从成都电子科技大学微电子专业毕业的黄涛等人，走进了晶能光电，成为助理工程师。

“一进公司，我们就被分到生产线上。当时技术部门列出了十大难题，包括发光材料起翘、硅芯片掉电极等，因为没有文本参考、没有成熟技术可借鉴，面对40多个生产工序，我们既当技术员，又当操作员，决心一定要啃下硬骨头。”黄涛回忆。

在许多人的不懈努力下，2009年，数码显示用小功率LED芯片量产，并达到了较高的良品率。又经过3年的苦心磨砺，2012年，晶能光电一举突破了硅衬底大功率LED芯片量产的瓶颈，产品良品率超过60%，超出预期20多个百分点。“那一天，是2012年12月30日。”王敏记忆犹新。