纳芯微全新推出光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515
来源:纳芯微电子 | 作者:纳芯微电子 | 发布时间: 2023-04-10 | 1002 次浏览 | 分享到:



静态CMTI.png

 静态CMTI 实验结果:218kv/us pass

输入一直为高,蓝色是输出波形,粉色是CMTI波形


动态CMTI.png

动态CMTI 实验结果:218kv/us pass

绿色是输入波形,黄色是输出波形,蓝色是CMTI波形


NSi68515 短路保护时间快,提高了管子的鲁棒性

当IGBT 和 SiC MOSFET正常开通时,是在饱和区进行工作的;但当IGBT 和 SiC MOSFET在开通过程中,发生过流或者上下管短路的时候,电流便会急剧增大,就会退出饱和区,VCE也随之增大,如果不及时关断IGBT 和 SiC MOSFET,则会导致管子损坏或者使用寿命变短。NSi68515 通过DESAT 引脚检测管子的VCE 电压来判断管子短路和过流,当检测到管子异常后,能够快速关断管子,防止管子损坏。此外,NSi68515 DESAT引脚内部还做了滤波处理,防止系统误触发。

下面是NSi68515触发保护时的时序图,保护时间比行业内常见的带保护功能的光耦隔离驱动IC快一倍,可以大大提高管子的鲁棒性。

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NSi68515触发保护时的时序图

NSi68515产品选型表

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